HAT2172N（瑞萨，单端场效应管，8-LFPAK-iV）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：HAT2172N

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.8 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2420pF @ 10V

功率 - 最大值：20W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）

供应商器件封装：8-LFPAK-iV

HAT2172N，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：HAT2172N

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I

产品应用分类：单端场效应管

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