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零件图片(仅供参考)
HAT2195R-EL-E
规格参数
  • Renesas瑞萨完整型号:HAT2195R-EL-E
  • 制造厂家名称:Renesas Electronics America
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3400pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HAT2195R-EL-E
  • 原始制造厂商:Renesas(瑞萨电子)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询HAT2195R-EL-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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