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零件图片(仅供参考)
HAT2210RWS-E
规格参数
  • 制造商产品型号:HAT2210RWS-E
  • 制造商:Renesas Electronics America Inc
  • 描述:MOSFET N-PAK 8SOP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.5A(Ta),8A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 3.75A,10V,22 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V,11nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 10V,1330pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.5W(Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • HAT2210RWS-E,Renesas(瑞萨电子)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HAT2210RWS-E
  • 原始制造厂商:Renesas(瑞萨电子)
  • 技术标准参数:MOSFET N-PAK 8SOP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询HAT2210RWS-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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