HAT2266H-EL-E（瑞萨，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：LFPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：HAT2266H-EL-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3600pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：23W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：LFPAK

HAT2266H-EL-E，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：HAT2266H-EL-E

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询HAT2266H-EL-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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