HSG1002VE-TL-E（瑞萨，RF晶体管，4-MFPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：HSG1002VE-TL-E

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

系列：-

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V

频率 - 跃迁：38GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

增益：8dB ~ 19.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-SMD，鸥翼型

供应商器件封装：4-MFPAK

HSG1002VE-TL-E，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：HSG1002VE-TL-E

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

产品应用分类：RF晶体管

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