NE5511279A-T1-A（瑞萨，RF FET，4-SMD）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号: NE5511279A-T1-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A

系列: -

晶体管类型: LDMOS

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 900MHz

增益: 15dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 7.5V

额定电流: 3A

功率 - 最大值: -

噪声系数: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 400mA

功率 - 输出: 40dBm

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 20V

封装/外壳: 4-SMD，扁平引线

供应商器件封装:

NE5511279A-T1-A，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NE5511279A-T1-A

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A

产品应用分类：RF FET

点击此处查询NE5511279A-T1-A的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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