NP50P03YDG-E1-AY（瑞萨，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-HSON）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：NP50P03YDG-E1-AY

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.4 毫欧 @ 25A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：96nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta），102W（Tc）

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-HSON

NP50P03YDG-E1-AY，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NP50P03YDG-E1-AY

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询NP50P03YDG-E1-AY的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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