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零件图片(仅供参考)
NP50P03YDG-E1-AY
规格参数
  • 制造商产品型号:NP50P03YDG-E1-AY
  • 制造商:Renesas Electronics America Inc
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.4 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):96nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta),102W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-HSON
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    基本参数:
  • 电子零件型号:NP50P03YDG-E1-AY
  • 原始制造厂商:Renesas(瑞萨电子)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询NP50P03YDG-E1-AY的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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