NP90N03VUG-E1-AY（瑞萨，单端场效应管，TO-252）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：NP90N03VUG-E1-AY

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：90A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 45A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7500pF @ 25V

功率 - 最大值：1.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252

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基本参数：

电子零件型号：NP90N03VUG-E1-AY

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

产品应用分类：单端场效应管

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