RJH1CF4RDPQ-80#T2（瑞萨，晶体管 - UGBT、MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RJH1CF4RDPQ-80#T2

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A

功率-最大值：156.2W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

RJH1CF4RDPQ-80#T2，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RJH1CF4RDPQ-80#T2

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询RJH1CF4RDPQ-80#T2的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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