RJK2006DPE-00#J3（瑞萨，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：4-LDPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RJK2006DPE-00#J3

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：4-LDPAK

RJK2006DPE-00#J3，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RJK2006DPE-00#J3

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询RJK2006DPE-00#J3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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