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规格参数
制造商产品型号:RJK6026DPE-00#J3制造商:Renesas Electronics America Inc描述:MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.4 欧姆 @ 2.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):440pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):62.5W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:4-LDPAKRJK6026DPE-00#J3,Renesas(瑞萨电子)产品一站式供应商。
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