RJM0603JSC-00#13（瑞萨，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：20-SOIC（0.433，11.00mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RJM0603JSC-00#13

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：停产

FET类型：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）

FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：20A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 10V

功率-最大值：54W

工作温度：175°C

安装类型：表面贴装型

封装：20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）

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基本参数：

电子零件型号：RJM0603JSC-00#13

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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