Renesas 可提供各种使用数字或模拟控制的单片硅 RF 衰减器。 Renesas 的所有 RF 衰减器均具有高带宽、低插入损耗、高线性度、高衰减精度以及低误差等特点。 上述 RF 衰减器所适用的应用包括无线基础设施（基站、宽带基础设施 (CATV)）、微波无线电、卫星和数据终端、通用通讯设备以及测试和测量设备。

Renesas 率先推出采用“Glitch-Free™”技术的数字步进衰减器 (DSA)，使得客户能够简化其软件界面、提高可靠性、防止损坏功率放大器等昂贵的子组件，并限制数据转换器输入超出额定范围。 我们的创新型 Glitch-Free™ 技术可消除发送和/或接收路径中的衰减设置过冲（毛刺），可将最高有效位 (MSB) 过渡期间的瞬时“毛刺”减少高达 95%。

另外，Renesas 的电压可变衰减器 (VVA) 可为客户提供针对需要更精确衰减应用的模拟控制。 相比同类竞争解决方案，这些 VVA 拥有近一半的低插入损耗以及高 IP3 性能，并且在电压控制范围内为线性衰减 (dB)。 通过使用硅基 RF 半导体技术，Renesas 的衰减器为基于 GaA 的原有半导体技术提供了强大的替代方案。 硅技术提供了更强大的静电放电 (ESD) 保护、更出色的潮湿敏感度等级 (MSL)、更理想的热性能、更低的电流消耗以及硅技术久经验证的可靠性。